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Osram steigert Effizienz grüner LEDs um 40 Prozent

Durch den deutlichen Abfall der Lichtausbeute (Green-Gap-Phänomen) sorgten grüne LEDs in Kundenanwendungen häufig für Effizienzprobleme und hohe Kosten. Bei der Fertigung von Indium-Gallium-Nitrid (InGaN)-basierten grünen LEDs ist es Osram Opto Semiconductors nun gelungen, die typischen Vorwärtsspannungen um 600 mV zu reduzieren. Durch die gleichzeitig erhöhte Ausgangsleistung profitieren Kunden ab sofort von Effizienzvorteilen von bis zu 40 Prozent im Vergleich zu Vorgängerprodukten im gesamten UX:3-Portfolio von Osram.

Osram Opto Semiconductors senkte die Vorwärtsspannungen grüner, direkt emittierender InGaN-LEDs bei Stromdichten von 45 A/cm² um 600 mV auf 2,6 V. Besonders für Anwendungen, in denen rote, blaue und grüne LEDs kombiniert eingesetzt werden, ergeben sich dadurch Vorteile: Da nun alle drei Farben eine Spannung von unter 3 V aufweisen, können die bisher auf höhere maximale Spannungen angelegten Treiber geringer dimensioniert werden. Das verringert die dissipative Verlustleistung und reduziert Kosten.

Entscheidende Faktoren auf dem Weg zur Effizienzsteigerung waren ein verbesserter Ladungsträgertransport sowie eine optimierte Materialqualität in den epitaktischen Schichten. Bei 350 mA erreichen 1-mm²-UX:3-Chips mit der neuen Technologie Effizienzen jenseits von 175 lm/W bei Wellenlängen um 530 nm. Auch die absoluten Licht-Ausgangsleistungen mit Werten über 300 lm bei 1 A Pumpstrom eröffnen Usern neue Anwendungsmöglichkeiten.

www.osram-os.com

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